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价带和导带的极值点在k空间同一位置，这种半导体称为（）

能带顶部附近$$E(k)$$为$$E(k)-E(0) = \frac{h^2k^2}{2m_n^*}$$，$$m_n^*$$称为（），它是（）值

当掺杂浓度接近甚至大于导带状态密度或价带状态密度，这种半导体称为（）

提供电子的杂质或充当正电中心的杂质，称为（）

半导体中，多子是空穴，少子是电子，这种半导体称为（）。

在一定温度下，重空穴的数目比轻空穴的数目（）

在价带顶附近波矢为$$k$$的一个态中，电子能量由下式给出：$$E=-10^{-37}k^2(\text{J})$$，若把一个电子从$$k_1=1\times10^9\text{m}^{-1}$$态上除去，而所有其他态均被电子占据，其中电子的质量为$$m$$，则空穴的有效质量为( )

Ge的导带极值点位于（），有（）个完整的椭球

从下面2个能带图可以判断（）。（含图）

在本征区，N型半导体电子浓度的对数随1/T变化而变化，下面那个是正确的（）。

电子的迁移率和其平均自由时间、有效质量有关。下面表述正确的是（）

Si空位在Si半导体中充当什么作用？

Si间隙原子在Si半导体中充当什么作用？

Li掺杂ZnO是（）半导体.

如果n型半导体导带峰值在[110]轴上及相应对称方向上，磁场B沿[111]回旋共振实验有（）个吸收峰。

In掺杂GaAs，In通常是（）杂质。

InAs为禁带宽度为0.36 eV的窄禁带半导体，电子有效质量为0.023$$m_0$$（$$m_0$$为电子静止质量），相对介电常数为15.2。则InAs中施主杂质的电离能为（）。

C掺杂GaN，C取代Ga，那么C掺杂GaN少子是（）

完全补偿半导体是（）

ZnS中Zn²⁺空位起到（）作用

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