单选题 用冷热探笔法测量导电类型时,若热探笔的温度过高,则对某些高阻硅材料会在热探笔附近造成( )

A、 本征激发
B、 掺杂
C、 少子注入影响
D、 陷阱效应
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单选题 P型半导体中的少数载流子(少子)指的是( )

A、空穴
B、自由电子
C、离子
D、分子

单选题 本征半导体是指?( )

A、在硅或锗晶体中掺入三价元素杂质后形成的半导体
B、在硅或锗晶体中掺入五价元素杂质后形成的半导体
C、没有掺入任何杂质的纯净的半导体
D、在硅或锗晶体中掺入等价元素杂质后形成的半导体

单选题 位错属于( )

A、体缺陷
B、线缺陷
C、点缺陷
D、面缺陷

单选题 布喇格方程式$$2d\sin\theta=n\lambda$$,其中$$\theta$$称为( )

A、掠射角
B、反射角
C、折射角
D、衍射角

单选题 下列有关测量少子寿命的操作中,错误的是( )

A、开机时先开电源,再开光源
B、在耦合电极上滴上适当水后,再放上样品
C、光源的强度越大越好
D、调示波器时,要进行横、纵扫描找出基点

单选题 职业健康安全生产操作描述正确的是( )

A、从事气体分析的工作人员,可以不了解各类气体的性质
B、高压气瓶如(H2、O2)可以放在一起
C、非实验室工作人员,进入实验室可以不用穿戴劳保用品
D、实验室的气瓶或管道,必须经常检查且保证不泄漏

单选题 关于刃位错,说法错误的是( )

A、刃位错属于线缺陷,是晶体中的主要缺陷
B、刃位错是晶体在外力作用下两个部分产生滑移的结果
C、在一般情况下,位错线的两端终止在晶体的表面或者自身构成闭合的曲线
D、(100)面的位错形状是菱形

单选题 从电学性能上,组件的电压是 电池电压之和,组件电流是 电池电流之和,组件的电流电压值可根据需要对电池进行串并联设计实现。( )

A、并联、串联
B、串联、串联
C、并联、并联
D、串联、并联