单选题 PN 结两端加正向电压时,其正向电流是由( )而形成的。

A、 多子扩散
B、 少子扩散
C、 多子漂移
D、 少子漂移
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相关试题

单选题 钟控RS触发器的特征方程是________。

A、$$Q^{n+1} = \overline{R} + Q^{n}$$
B、$$Q^{n+1} = S + Q^{n}$$
C、$$Q^{n+1} = R + \overline{S}Q^{n}$$
D、$$Q^{n+1} = S + \overline{R}Q^{n}$$

单选题 测得三极管各电极对地电压分别为:$$V_{\mathrm{B}}$$=4.7V,$$V_{\mathrm{C}}$$=4.3V,$$V_{\mathrm{E}}$$=4V,则该三极管工作在______状态。

A、截止
B、饱和
C、放大
D、不确定

单选题 与非门组成的基本RS触发器在______时触发器置零。

A、$$R_{\mathrm{D}}$$=0; $$S_{\mathrm{D}}$$=1
B、$$R_{\mathrm{D}}$$=1, $$S_{\mathrm{D}}$$=0
C、$$R_{\mathrm{D}}$$=0, $$S_{\mathrm{D}}$$=0
D、$$R_{\mathrm{D}}$$=1, $$S_{\mathrm{D}}$$=1

单选题 单极型半导体器件是______。

A、半导体二极管
B、双极型三极管
C、场效应管
D、稳压二极管

单选题 P 型半导体是在本征半导体中加入微量______元素构成的。

A、三价
B、四价
C、五价
D、六价

单选题 在杂质半导体中,多子的浓度主要取决于()。

A、温度
B、掺杂浓度
C、掺杂工艺
D、晶体缺陷

单选题 A为逻辑变量,则$$\overline{A} \bullet A$$ =________。

A、$$\overline{A}$$
B、0
C、1
D、$$A$$

单选题 下列逻辑代数运算错误的是________。

A、A.0=0
B、A+1=A
C、A.1=A
D、A+0=A