单选题 下列材料无法作为 GaN 外延衬底的是（）
单选题 采用同质 GaN 衬底开展外延生长，最大优势是（）
A、大幅降低位错密度
B、提高透光率
C、降低生产成本
D、简化清洗流程
单选题 GaN 衬底化学机械抛光（CMP）的核心作用是（）
A、减薄衬底厚度
B、去除表面损伤、获得原子级平整表面
C、制作图形结构
D、去除气相杂质
单选题 商用主流衬底中，与 GaN 晶格失配最小的是（）
A、蓝宝石
B、硅(Si)
C、碳化硅(SiC)
D、铝酸镧
单选题 相较于同质外延，蓝宝石、SiC 异质外延的主要问题是（）
A、位错密度更高
B、生长速率更慢
C、设备造价更高
D、材料纯度更低
单选题 工业上 GaN 外延使用最广泛的传统衬底是（）
单选题 MOCVD 生长 GaN 时，低温缓冲层常用材料为（）
A、SiO₂
B、AlN/GaN
C、TiN
D、氮化硼
单选题 SiC 衬底用于 GaN 外延的突出优点是（）
A、价格低廉
B、热导率高、晶格失配小
C、易机械加工
D、透光性能最佳
2026-06-16
共158道
