单选题 为了保证三极管工作在放大区、在组成放大电路时,外加电源的极性应使三极管的集电结处于( )。

A、 正向偏置状态
B、 反向偏置状态
C、 正向或反向偏置状态
D、 饱和状态
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单选题 用单探头法探测两个表面平整、但与入射声束取向不良的缺陷(二缺陷的取向相同且无工件界面的影响),它们的当量(  )。

A、面积大的,当量也一定大
B、面积大的,当量不一定比面积小的大
C、面积大的,当量反而比面积小的小
D、相等

单选题 探测厚焊缝中垂直于表面的缺陷最适用的方法是(  )。

A、聚焦探头
B、直探头
C、斜探头
D、串列双斜探头

单选题 如果探测面毛糙,应该采用(  )。

A、不太高频率的探头
B、较高频率的探头
C、硬保护膜探头
D、大晶片探头

单选题 超声波垂直于界面入射时,其声压反射率为(  )。

A、r=(Z2-Z1)/(Z2+Z1)
B、r=2Z1/(Z1+Z2)
C、r=4Z1/(Z1+Z2)
D、r=2(Z1+Z2)

单选题 当频率和材料一定时,通常横波对小缺陷的检测灵敏度高于纵波,这是因为(  )

A、横波比纵波的波长短
B、横波对材料不易发散
C、横波的质点振动方向对缺陷较敏感
D、横波比纵波的波长长

单选题 直探头探测厚250mm及500mm两锻件,若后者与前者耦合差4dB,材质衰减均为0.004dB/mm,前者底面回波为满幅度的80%时,则后者底面回波应为满幅度的(  )。

A、5%
B、10%
C、20%
D、40%

单选题 用单探头法,要发现与声束取向不良的缺陷,应采用的探头频率(  )。

A、愈高愈好
B、愈低愈好
C、不太高
D、较寻常时取高值

单选题 探头的近场长度由下式决定(式中λ波长,f频率,D晶片直径)(  )。

A、N=1.22λ/D
B、N=D/4λ
C、N=D^2/4λ
D、N=2/D