填空题 ______年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。

单选题 NMOS晶体管在工作时，参与导电的载流子是（ ）。

单选题 当漏电压大到时$$V_{DS}=V_{GS}-V_T$$时，沟道在（ ）出现夹断，此时的MOS管将进入临界饱和状态。

单选题 下列说法正确的是（ ）。

单选题 在场区氧化过程中，（ ）使实际的有源区面积比版图设计的面积小。

单选题 MOS器件中，保持$$V_{DS}$$不变，随着$$V_{GS}$$的增加，MOS器件（ ）。

单选题 在PMOS晶体管中，若$$V_{sb}<0$$会使阈值电压（ ）。

单选题 Gordon Moore在1965年预言:每（ ）个月芯片上晶体管的数目将翻一番。

单选题 MOS晶体管在线性区工作时，当$$V_{DS}$$趋于0时，晶体管的本征电容$$C_{gs}=$$（ ）。