单选题 亚共析钢的含碳量为(  )。

A、 <0. 02%
B、 <0. 77%
C、 >0. 77%
D、 0. 77%
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由4l***9j提供 分享 举报 纠错

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单选题 在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在(  )以上。

A、90%
B、92%
C、95%
D、97%

单选题 对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与(  )

A、非平衡载流子浓度成正比
B、平衡载流子浓度成正比
C、非平衡载流子浓度成反比
D、平衡载流子浓度成反比

单选题 单晶硅与多晶硅的根本区别是(  )。

A、纯度
B、原子排列方式
C、导电能力
D、原子结构

单选题 半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率(  )。

A、越高
B、不确定
C、越低
D、不变

单选题 通常用(  )来提纯工业级 Si 生产多晶硅。

A、Cl2
B、SiHCl3
C、HCl
D、SiCl4

单选题 硅片制备主要工艺流程是(  )

A、单晶生长 →整形→切片→ 晶片研磨及磨 边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B、单晶生长 →切片→整形→ 晶片研磨及磨 边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C、单晶生长 →整形→切片→蚀刻→ 晶片研 磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
D、单晶生长 →整形→切片→ 晶片研磨及磨 边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

单选题 当晶体生长的较快,内坩埚中杂质量变少,晶体的电阻率(  )。

A、上升
B、下降
C、不变
D、不确定

单选题 在本征半导体 Si 和 Ge 中掺入少量的五价原子(如 P、As)时,就形成 n 型半导 体,这种掺入后多余的电子的能级在禁带中紧靠(  )处。

A、空带
B、满带
C、价带
D、导带