单选题 下列器件，哪个可以通过隔离一部分外延层区域形成(　　)

单选题 下列哪一项不属于集成电路制造的平面工艺(　　)。

单选题 化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）是（ ）工艺，光刻是（ ）工艺。(　　)

单选题 首先在衬底上涂胶并光刻，然后再制备金属薄膜，在有光刻胶的地方，金属薄膜形成在光刻胶上，而没有光刻胶的地方，金属薄膜就直接形成在衬底上，当使用溶剂去除衬底上的光刻胶时，不需要的金属就随着光刻胶的溶解而脱落在溶剂中，而直接形成在衬底上的金属部分则保留下来形成图形。上述过程描写的是哪一种工艺？(　　)

单选题 硅中掺杂砷元素后会成为(　　)

单选题 级无尘室的要求是：(　　)

单选题 集成电路制造最核心的工艺是(　　)

单选题 下面哪种金属的电阻率最低(　　)

单选题 集成电路即是将各种电子器件直接制备到半导体晶片上，并用导线连接，以实现相应功能的系统。下列哪种元件是不能做在集成电路中的？(　　)