单选题 将高纯TCS和H2按一定配比通入化学气相沉积反应器,在( )、0.55MPaG条件下发生还原反应,生成高纯多晶硅。

A、 900~1100℃
B、 1000~1200℃
C、 1080~1200℃
D、 1080~1100℃
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单选题 还原车间的主要产品( )。

A、多晶硅
B、单晶硅
C、硅粉
D、氢气

单选题 常温下不活泼,高温下与( )、氮、硫等反应。

A、
B、
C、
D、

单选题 SiHCl3和SiCl4氢还原是( )反应。

A、放热
B、吸热
C、正反应
D、副反应

单选题 还原3氢气南侧总管进氢气预热器的位置( )

A、18米层
B、14米层
C、还原2楼
D、外管廊架

单选题 炉筒水泵是( )。

A、四开一备
B、两开一备
C、一开一备
D、无备用泵

单选题 本装置为24000吨/年多晶硅新建项目40对棒还原装置,该项目工艺采用国际上应用广泛的改良西门子法,现有40对棒大型CVD还原炉( )台。

A、36
B、48
C、10
D、92

单选题 氢气的密度( )。

A、0.09kg/m3
B、0.08kg/m3
C、0.089kg/m3
D、0.1kg/m3

单选题 还原三40对棒( )台还原炉使用一套电极水系统。

A、9
B、10
C、14
D、16