单选题 半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()

A、 越高
B、 不确定
C、 越低
D、 不变
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相关试题

单选题 下列铸造多晶硅的制备方法中,(   )没有坩埚的消耗,降低了成本,同时又可减少杂质污染长度。

A、布里曼法
B、热交换法
C、电磁铸锭法
D、浇铸法

单选题 对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()

A、非平衡载流子浓度成正比  
B、平衡载流子浓度成正比
C、非平衡载流子浓度成反比
D、平衡载流子浓度成反比

单选题 当晶体生长的较快,内坩埚中杂质量变少,晶体的电阻率()

A、上升
B、下降
C、不变
D、不确定

单选题 硅片制备主要工艺流程是()

A、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B、单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C、单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
D、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

单选题 通常用( )来提纯工业级Si生产多晶硅

A、CL2
B、SIHCL3
C、HCL
D、SICL4

单选题 固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中,在(   )摄氏度以上进行常规热处理。

A、300
B、400
C、500
D、600

单选题 单晶硅与多晶硅的根本区别是()

A、纯度
B、原子排列方式
C、导电能力
D、原子结构

单选题 在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在( )以上

A、90%
B、92%
C、95%
D、97%