3新材料智能生产与检测赛项理论题库（单选200、多选50、判断100）

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硅片制备主要工艺流程是（）。

半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）。

在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在（）以上。

当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）。

在本征半导体Si和Ge中掺入少量的五价原子（如P、As）时，就形成n型半导体，这种掺入后多余的电子的能级在禁带中紧靠（）处。

通常用（）来提纯工业级Si生产多晶硅。

单晶硅与多晶硅的根本区别是（）。

对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。

固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（）摄氏度以上进行常规热处理。

下列铸造多晶硅的制备方法中，（）没有坩埚的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。

那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）。

下面哪个不是硅片的清洗方法（）。

下列说法错误的是（）。

正常凝固是最宽熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段（）。

在晶体凝固过程中，存在温度梯度的是（）。

下列说法中，不正确的是（）。

下列关于硅的说法中，不正确的是（）。

有些科学家提出硅是"21世纪的能源"，这主要是由于作为半导体材料的硅在太阳能发电过程中具有重要的作用。下列关于硅的说法不正确的是（）。

将足量$$\mathrm{CO}_{2}$$气体通入水玻璃（$$\mathrm{Na}_{2} \mathrm{SiO}_{3}$$溶液）中，然后加热蒸干，再在高温下充分灼烧，最后得到的固体物质是（）。

现有物质：①氢氟酸 ②浓$$\mathrm{H}_{2} \mathrm{SO}_{4}$$ ③烧碱溶液 ④$$\mathrm{Na}_{2} \mathrm{CO}_{3}$$固体 ⑤氧化钙 ⑥浓$$\mathrm{HNO}_{3}$$，其中在一定条件下能与$$\mathrm{SiO}_{2}$$反应的有（）。