1-半导体器件物理试题库to a卷答案 - 副本

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为减少固定电荷密度和界面陷阱密度的影响,在制备MOS器件时一般选择单晶硅的方向为()

对p型半导体而言，当一个负电压施加于理想MOS二极管金属平板上时，SiO2-Si界面处将产生超量的空穴，接近半导体表面的能带将（）弯曲.()

金属与n型半导体接触时，若$$Wm < Ws$$，则在半导体表面形成一个______的空间电荷区，同时形成______。()

对于某n型半导体构成的金半阻挡层接触，加上正向电压时，随着电压增加，阻挡层的厚度将逐渐()

肖特基势垒中，电流的传导主要由（）来完成。()

如果在金属上施以相对于n型半导体为正的电压时，则半导体到金属的势垒高度将（）

MESFET的一项重要参数是跨导，它表示了在某个特定漏极电压下，相对于（）电压的变化所造成漏极电流的变化。()

对增强型MESFET而言，在沟道电流开始流通前，栅极必须加上（），这个所需的电压称为阈值电压VT。()

相对于PN结二极管来说，肖特基势垒二极管的正向开启电压（）。()

相对于PN结二极管来说，肖特基势垒二极管的开关速度要（），这是因为肖特基势垒二极管是（）。()

下列哪项不属于共振隧道二极管的重要器件参数。（）

p-n结击穿主要有下列哪三种物理机制（）

光探测器和太阳能电池的工作过程则是（）

具有金刚石结构的半导体材料为()

对于一个PN结二极管处于一个正向偏置，以下哪些方法可以提高其正向偏置电流()

对于一个PN结二极管，以下哪些方法可以提高结的雪崩击穿电压？()

一个硅基材料的P+N结二极管，存在势垒电容和扩散电容，以下有哪些说法是正确的：()

对于一个缓变基区双极型晶体管，相对于均匀基区双极型晶体管来说，下列说法正确的有()

有如下两个双极型晶体管：（a）发射区掺杂浓度$$10^{18} cm^{-3}$$，基区的掺杂浓度$$10^{17} cm^{-3}$$，集电区的掺杂浓度$$10^{15} cm^{-3}$$；（b）发射区掺杂浓度$$10^{18} cm^{-3}$$，基区的掺杂浓度$$10^{16} cm^{-3}$$，集电区的掺杂浓度$$10^{15} cm^{-3}$$，下列说法正确的有：()

以下哪些效应是属于双极型晶体管的大电流效应()