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在P型半导体中（）。

当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

温度越高或光照越强，半导体的导电性能（）。

温度越高或光照越强，半导体的导电性能（）。

三极管的主要应用特性是（）。

晶体管具有电流放大作用的外部条件是（）。

晶体管电压放大电路的输入信号一定，静态工作点设置太高将可能产生（）。

集成运算放大器的中间级主要作用是（）。

集成运算放大器的输入级通常采用（）电路形式。

下图放大电路所引入的负反馈类型是： (缺图)

PN结的伏安特性曲线中，（）区域表示反向击穿。

下列关于PN结正向偏置的说法中，（）选项是正确的。

二极管的伏安特性曲线中，正向导通区的特征是（）。

下列关于二极管伏安特性的说法中，错误的是（）。

当二极管处于反向偏置状态时，其电流主要由（）决定。

下列（）项是二极管的主要参数之一。

下列关于二极管反向饱和电流的说法，正确的是（）

在电路设计中，二极管的最高反向工作电压必须满足（）条件

下列（）二极管主要用于整流电路。

下列（）情况可能导致二极管损坏。