1764147971_0805480892_3.电子设备调试工赛项理论题库

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半导体材料中，P型半导体的多数载流子是（）

N型半导体是在本征半导体中掺入了（）元素。

PN结具有（）特性。

二极管的正向导通压降硅管约为（）

二极管的反向饱和电流随温度升高而（）

三极管的三个电极分别是（）

三极管工作在放大区的条件是（）

影响三极管电流放大倍数 β 的主要因素是（）

场效应管(FET)是一种（）控制型器件。

增强型 MOS 管在栅源电压 VGS=0 时，漏源之间（）导电沟道。

运算放大器理想特性中，开环增益 Aod 为（）

理想运放的输入电阻 Rid 为（）

理想运放的输出电阻 Rod 为（）

反相比例运算电路的电压放大倍数 Auf=（）

同相比例运算电路的电压放大倍数 Auf=（）

电压跟随器的电压放大倍数 Auf=（）

基本积分运算电路的输出电压与输入电压的（）成正比。

基本微分运算电路的输出电压与输入电压的（）成正比。

单限比较器的输出电压是( )

滞回比较器与单限比较器相比，主要优点是( )